近日，位于寧波前灣新區(qū)數(shù)字經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)園的清純半導體（寧波）有限公司，發(fā)布了國內(nèi)首款15V驅(qū)動的 1200V SiC Mosfet器件平臺產(chǎn)品，填補了國內(nèi)15V驅(qū)動SiC Mosfet產(chǎn)品的空白，使國內(nèi)SiC功率器件技術(shù)躋身國際領先水平。
該系列產(chǎn)品與國際主流產(chǎn)品相比，具有更低的導通損耗、更低的熱阻、較低開關(guān)損耗，綜合損耗更小，效率更高，其首款1200V 75mΩ SiC Mosfet已獲得國內(nèi)領先新能源逆變器制造商的批量訂單。
自我國明確雙碳目標以來，新能源和新能源汽車行業(yè)進入跨越式發(fā)展階段。SiC功率器件得益于高壓、高溫及高頻的獨特優(yōu)勢，正成為新一代電力轉(zhuǎn)換的核心器件，已在新能源汽車、光伏逆變器、儲能等領域獲得廣泛應用，顯著提高了電力轉(zhuǎn)換效率。國家“十四五”計劃點名發(fā)展“碳化硅等寬禁帶半導體”，希望國內(nèi)廠商能夠盡快追趕國際水平，推出自主可控的產(chǎn)品。
清純半導體成立于2021年3月，是前灣新區(qū)為響應國家戰(zhàn)略打造第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈而重點引進的一家碳化硅功率器件設計和供應商，去年底宣布完成高瓴創(chuàng)投領投的數(shù)億元首輪融資。公司成立一年來，技術(shù)與產(chǎn)品發(fā)展迅速，目前已突破國產(chǎn)SiC功率器件設計及大規(guī)模制造瓶頸，在極短時間內(nèi)先后開發(fā)出自主知識產(chǎn)權(quán)的SiC二極管及Mosfet器件產(chǎn)品，產(chǎn)品先后通過車規(guī)級可靠性測試，是目前國內(nèi)唯一能夠在SiC器件核心性能和可靠性方面達到國際一流水平、并且基于國內(nèi)產(chǎn)線量產(chǎn)SiC Mosfet的企業(yè)。
SiC Mosfet作為應用最廣泛的碳化硅功率器件，早已在國內(nèi)相關(guān)行業(yè)龍頭企業(yè)比亞迪、陽光電源和華為等的旗艦產(chǎn)品系列中廣泛使用，其需求也在迅速擴大。但我國SiC Mosfet相關(guān)核心技術(shù)始終未被突破，雖然國內(nèi)已有個別廠家能夠少量提供18V驅(qū)動的SiC Mosfet產(chǎn)品，但在產(chǎn)品性能和可靠性方面與國際主流產(chǎn)品仍有較大差距，國內(nèi)市場主要被國外廠商占據(jù)。近年來，國際主流廠商已開始大力推廣更先進的15V驅(qū)動的SiC Mosfet，由此進一步拉開了與國內(nèi)產(chǎn)品的技術(shù)代差。
此次清純半導體發(fā)布的15V驅(qū)動的1200V SiC Mosfet器件平臺產(chǎn)品，首次填補了國內(nèi)該系列產(chǎn)品空白，可廣泛應用于新能源汽車、充電樁、工業(yè)電源、光伏逆變、UPS、通信電源等大功率、高頻、高效率領域，直接實現(xiàn)SiC器件的國產(chǎn)替代，助力千萬新區(qū)打造第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈，進一步推動國產(chǎn)高性能功率芯片的發(fā)展和應用。
（來源：寧波市科技局）
